SDI-10 晶圆宏观缺陷检测设备
在线工艺控制 AI检测 替代目检
SDI 系列

SDI-10

晶圆宏观缺陷检测设备

Wafer Macro Defect Inspection System

专为化合物半导体及硅基晶圆制造产线打造的在线工艺控制核心装备。以深度学习算法为核心驱动力,融合高精度彩色明场成像三维几何量测技术,全面替代传统人工目检,为良率提升提供高速、客观、可追溯的自动化解决方案。

≥75 WPH
6英寸晶圆通量
3 μm
成像精度
深度学习
持续学习能力

核心卖点

超高检测通量

6英寸晶圆检测效率不低于每小时75片,8英寸≥55 WPH,大幅领先人工目检

自动分拣

依据判级结果自动执行晶圆合格返工报废分类,与硬件分拣系统无缝联动

智能深度学习算法

具备持续学习能力,可快速导入新型缺陷,保持高检出率与高正检率

三维几何量测集成

独有地集成厚度、倒角面幅与3D轮廓量测功能,从表面缺陷延伸至晶圆立体形貌

无缝工厂自动化

支持SECS/GEM协议,可直接与MES系统对接,实现生产全流程自动化

广泛材料适配

兼容4/6/8/12英寸晶圆及非标尺寸,支持厚度≤2.5mm的切割片、研磨片及抛光片

高速高精度的检测性能

检测通量

High Throughput

设备针对主流晶圆尺寸进行了深度优化,处理6英寸晶圆时通量可达每小时75片及以上;8英寸晶圆通量稳定保持在每小时55片以上。这一速度足以匹配量产产线的节奏,彻底解决了人工目检效率瓶颈的问题。

≥75
6英寸 WPH
≥55
8英寸 WPH

检测精度

High Precision

光学系统具备3微米的缺陷分辨能力,能够清晰成像并识别肉眼难以察觉的微小异常。采用彩色明场成像通道,相较于传统黑白成像,对"颜色不均"、"小面颜色不均"等外观类缺陷具有显著的检出优势。

3 μm
缺陷分辨能力
重复性严格控制在 6% 以内
兼容晶圆尺寸
4" / 6" / 8" / 12" 及非标尺寸
适用工艺段
切割片 · 研磨片 · 抛光片
厚度限制
≤ 2.5 mm

深度学习的智能化检测核心

深度学习与传统图像处理融合的自动检测算法

已知缺陷高精度识别

High-Precision Recognition

系统内置经过大量样本训练的模型,能够准确区分多晶、裂纹、崩边、划痕、包裹物等十余种常见宏观缺陷,并进行自动分类。

新缺陷快速学习能力

Continuous Learning

当产线出现未知的新型缺陷形态时,工程师利用设备的再分析功能(Re-analysis),将新缺陷样本导入模型进行增量训练,即可在短时间内使设备具备识别该缺陷的能力。

良率可视化

自定义"致命缺陷"规则,自动生成晶圆良率分布图(Yield Map),直观呈现缺陷空间聚集性

自动化分类

基于精准缺陷识别,自动执行晶圆的合格、返工或报废分拣,与硬件分拣系统联动

数据追溯

支持 SECS/GEM 协议,与 MES 系统对接,实现生产全流程数据可追溯

独树一帜的三维几何量测能力

将质量管控从表面缺陷延伸至晶圆立体形貌

这是 SDI-10 区别于常规宏观检测设备的一项关键扩展功能。它不仅检测表面缺陷,更集成了对晶圆几何形貌的精密测量,将质量控制的维度从二维平面延伸至三维空间

厚度测量

精确测定晶圆的总厚度变化、弯曲度与翘曲度。这是监控研磨工艺稳定性的核心指标,直接关系到后续光刻、键合等工序的工艺均匀性与成功率。

倒角面幅测量

对晶圆边缘倒角区域的轮廓进行扫描与量化分析。通过监控倒角的形状、宽度与角度,可有效评估倒角工艺一致性,这对于增强晶圆边缘机械强度、减少崩边风险至关重要。

三维轮廓量测

获取晶圆表面微观区域或单个缺陷的三维形貌,提供关键的深度信息。将划痕从二维"一条线"量化为带有精确深度的"一道沟",是判断缺陷严重等级的决定性依据。

广泛的缺陷覆盖与材料适应性

晶体结构异常

  • 多晶 (Poly)
  • 多型 (Polytype)
  • 六方空间
  • 微管 (Micropipe)
  • 应力聚集

物理损伤类

  • 裂纹 (Crack)
  • 崩边 (Chip)
  • 豁口 (Notch)
  • 划痕 (Scratch)
  • 包裹物

表面异常与污染

  • 线痕
  • 脏污
  • 水痕
  • 颜色不均
  • 小面颜色不均

透光材料专精

专门针对具有一定透光性的半导体及光电材料研发,尤其适用于碳化硅(SiC)单晶硅红外材料的切割片、研磨片和抛光片检测。

常见问题

SDI-10 针对主流晶圆尺寸进行了深度优化:6英寸晶圆通量可达每小时75片及以上8英寸通量稳定保持在每小时55片以上。这一速度足以匹配量产产线的节奏,彻底解决了人工目检的效率瓶颈问题。

SDI-10 以深度学习算法为核心,能够全面替代传统人工目检
· 检测速度远超人工,6英寸≥75 WPH;
· 3微米成像精度,重复性≦6%,结果客观一致;
· 彩色明场通道精准捕捉颜色类缺陷,不漏检;
· AI持续学习能力,可快速导入新型缺陷;
· 数据全程可追溯,支持与MES系统对接。

这是 SDI-10 区别于常规宏观检测设备的关键扩展功能,将质量控制从二维平面延伸至三维空间:
· 厚度测量:精确测定总厚度变化、弯曲度与翘曲度;
· 倒角面幅测量:扫描量化晶圆边缘倒角轮廓,评估工艺一致性;
· 三维轮廓量测:获取缺陷三维形貌与深度信息,是判断缺陷严重等级的决定性依据。

兼容 4/6/8/12英寸 晶圆及客户指定的各类非标尺寸,支持厚度不超过 2.5 mm 的切割片、研磨片及抛光片。专门针对透光材料研发,尤其适用于 碳化硅(SiC)单晶硅红外材料

SDI-10 专注透明/透光材料的宏观缺陷检测,以彩色明场成像为核心,集成三维几何量测,适合SiC等透光材料产线的在线工艺控制。
PDI-10宏微一体设备,同时具备宏观筛查和微观精检能力,通量≥70 WPH,支持宏观微观3D量测,适合需要同时完成粗筛和精检的产线。

可以。SDI-10 的深度学习算法具备持续学习与再分析(Re-analysis)能力。当产线出现未知的新型缺陷形态时,工程师无需等待复杂的算法升级,只需利用设备的再分析功能,将新缺陷样本导入模型进行增量训练,即可在短时间内使设备具备识别该缺陷的能力,始终保持高检出率与高正检率

技术参数

参数项目 规格指标
产品型号SDI-10
英文名称Wafer Macro Defect Inspection System
靶向工艺切割片、研磨片、抛光片
晶圆尺寸4" / 6" / 8" / 12" 及非标尺寸
厚度范围≤ 2.5 mm
检测通量6英寸 ≥75 WPH;8英寸 ≥55 WPH
成像精度3 μm
检测重复性≤ 6%
检测通道彩色明场 + 三维几何量测
AI算法深度学习算法,具持续学习与再分析(Re-analysis)能力
几何量测厚度测量、倒角面幅测量、三维轮廓量测
通信协议SECS/GEM(标配),支持 MES 系统对接
适用材料SiC(碳化硅)、单晶硅、红外材料等透光材料

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