核心卖点
超高检测通量
6英寸晶圆检测效率不低于每小时75片,8英寸≥55 WPH,大幅领先人工目检
自动分拣
依据判级结果自动执行晶圆合格、返工或报废分类,与硬件分拣系统无缝联动
智能深度学习算法
具备持续学习能力,可快速导入新型缺陷,保持高检出率与高正检率
三维几何量测集成
独有地集成厚度、倒角面幅与3D轮廓量测功能,从表面缺陷延伸至晶圆立体形貌
无缝工厂自动化
支持SECS/GEM协议,可直接与MES系统对接,实现生产全流程自动化
广泛材料适配
兼容4/6/8/12英寸晶圆及非标尺寸,支持厚度≤2.5mm的切割片、研磨片及抛光片
高速高精度的检测性能
检测通量
High Throughput
设备针对主流晶圆尺寸进行了深度优化,处理6英寸晶圆时通量可达每小时75片及以上;8英寸晶圆通量稳定保持在每小时55片以上。这一速度足以匹配量产产线的节奏,彻底解决了人工目检效率瓶颈的问题。
检测精度
High Precision
光学系统具备3微米的缺陷分辨能力,能够清晰成像并识别肉眼难以察觉的微小异常。采用彩色明场成像通道,相较于传统黑白成像,对"颜色不均"、"小面颜色不均"等外观类缺陷具有显著的检出优势。
深度学习的智能化检测核心
深度学习与传统图像处理融合的自动检测算法
已知缺陷高精度识别
High-Precision Recognition
系统内置经过大量样本训练的模型,能够准确区分多晶、裂纹、崩边、划痕、包裹物等十余种常见宏观缺陷,并进行自动分类。
新缺陷快速学习能力
Continuous Learning
当产线出现未知的新型缺陷形态时,工程师利用设备的再分析功能(Re-analysis),将新缺陷样本导入模型进行增量训练,即可在短时间内使设备具备识别该缺陷的能力。
良率可视化
自定义"致命缺陷"规则,自动生成晶圆良率分布图(Yield Map),直观呈现缺陷空间聚集性
自动化分类
基于精准缺陷识别,自动执行晶圆的合格、返工或报废分拣,与硬件分拣系统联动
数据追溯
支持 SECS/GEM 协议,与 MES 系统对接,实现生产全流程数据可追溯
独树一帜的三维几何量测能力
将质量管控从表面缺陷延伸至晶圆立体形貌
这是 SDI-10 区别于常规宏观检测设备的一项关键扩展功能。它不仅检测表面缺陷,更集成了对晶圆几何形貌的精密测量,将质量控制的维度从二维平面延伸至三维空间。
厚度测量
精确测定晶圆的总厚度变化、弯曲度与翘曲度。这是监控研磨工艺稳定性的核心指标,直接关系到后续光刻、键合等工序的工艺均匀性与成功率。
倒角面幅测量
对晶圆边缘倒角区域的轮廓进行扫描与量化分析。通过监控倒角的形状、宽度与角度,可有效评估倒角工艺一致性,这对于增强晶圆边缘机械强度、减少崩边风险至关重要。
三维轮廓量测
获取晶圆表面微观区域或单个缺陷的三维形貌,提供关键的深度信息。将划痕从二维"一条线"量化为带有精确深度的"一道沟",是判断缺陷严重等级的决定性依据。
广泛的缺陷覆盖与材料适应性
晶体结构异常
- 多晶 (Poly)
- 多型 (Polytype)
- 六方空间
- 微管 (Micropipe)
- 应力聚集
物理损伤类
- 裂纹 (Crack)
- 崩边 (Chip)
- 豁口 (Notch)
- 划痕 (Scratch)
- 包裹物
表面异常与污染
- 线痕
- 脏污
- 水痕
- 颜色不均
- 小面颜色不均
透光材料专精
专门针对具有一定透光性的半导体及光电材料研发,尤其适用于碳化硅(SiC)、单晶硅及红外材料的切割片、研磨片和抛光片检测。
常见问题
SDI-10 针对主流晶圆尺寸进行了深度优化:6英寸晶圆通量可达每小时75片及以上,8英寸通量稳定保持在每小时55片以上。这一速度足以匹配量产产线的节奏,彻底解决了人工目检的效率瓶颈问题。
SDI-10 以深度学习算法为核心,能够全面替代传统人工目检:
· 检测速度远超人工,6英寸≥75 WPH;
· 3微米成像精度,重复性≦6%,结果客观一致;
· 彩色明场通道精准捕捉颜色类缺陷,不漏检;
· AI持续学习能力,可快速导入新型缺陷;
· 数据全程可追溯,支持与MES系统对接。
这是 SDI-10 区别于常规宏观检测设备的关键扩展功能,将质量控制从二维平面延伸至三维空间:
· 厚度测量:精确测定总厚度变化、弯曲度与翘曲度;
· 倒角面幅测量:扫描量化晶圆边缘倒角轮廓,评估工艺一致性;
· 三维轮廓量测:获取缺陷三维形貌与深度信息,是判断缺陷严重等级的决定性依据。
兼容 4/6/8/12英寸 晶圆及客户指定的各类非标尺寸,支持厚度不超过 2.5 mm 的切割片、研磨片及抛光片。专门针对透光材料研发,尤其适用于 碳化硅(SiC)、单晶硅 及 红外材料。
SDI-10 专注透明/透光材料的宏观缺陷检测,以彩色明场成像为核心,集成三维几何量测,适合SiC等透光材料产线的在线工艺控制。
PDI-10 为宏微一体设备,同时具备宏观筛查和微观精检能力,通量≥70 WPH,支持宏观微观3D量测,适合需要同时完成粗筛和精检的产线。
可以。SDI-10 的深度学习算法具备持续学习与再分析(Re-analysis)能力。当产线出现未知的新型缺陷形态时,工程师无需等待复杂的算法升级,只需利用设备的再分析功能,将新缺陷样本导入模型进行增量训练,即可在短时间内使设备具备识别该缺陷的能力,始终保持高检出率与高正检率。
技术参数
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 产品型号 | SDI-10 |
| 英文名称 | Wafer Macro Defect Inspection System |
| 靶向工艺 | 切割片、研磨片、抛光片 |
| 晶圆尺寸 | 4" / 6" / 8" / 12" 及非标尺寸 |
| 厚度范围 | ≤ 2.5 mm |
| 检测通量 | 6英寸 ≥75 WPH;8英寸 ≥55 WPH |
| 成像精度 | 3 μm |
| 检测重复性 | ≤ 6% |
| 检测通道 | 彩色明场 + 三维几何量测 |
| AI算法 | 深度学习算法,具持续学习与再分析(Re-analysis)能力 |
| 几何量测 | 厚度测量、倒角面幅测量、三维轮廓量测 |
| 通信协议 | SECS/GEM(标配),支持 MES 系统对接 |
| 适用材料 | SiC(碳化硅)、单晶硅、红外材料等透光材料 |
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